產品概述
介電常數介質損耗試驗儀滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電容率和介質損耗因數的推薦方法、
電感：
線圈號 測試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH
該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。
主要技術特性
Q 值測量范圍 2 ～ 1023 ，
量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔
固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差 ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測量范圍 4.5nH ～ 140mH
電容直接測量范圍 1 ～ 200pF
主電容調節范圍 18 ～ 220pF
主電容調節準確度 100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％
信號源頻率覆蓋范圍 100kHz ～ 160MHz
頻率分段 （ 虛擬 ）100 ～ 999.999kHz，1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz，100 ～ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個字
BD916介質損耗測試裝置技術特性
平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測微桿分辨率：0.001mm
計算機自動修正技術和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至zui低， Q 讀數值在不同頻率時要加以修正的困惑。
gdat高頻Q表的創新設計，無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業提供了更為方便的檢測工具
，測量值更為精確，測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調諧電容值下檢測器件的品質，無須關注量程和換算單位。
介電常數介質損耗測試儀使用步驟 如下：
測試準備工作
先要詳細了解配用Q表的使用方法，操作時，要避免人體感應的影響。
a. 把配用的Q表主調諧電容置于較小電容量。
b. 把本測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端子上。
c. 配上和測試頻率相適應的高Q值電感線圈（本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求），如：1MHz 時電感取250uH，15MHz時電感取1.5uH。
d. 短按ON/OFF按鍵，打開液晶顯示屏。
e. 調節平板電容器測微桿，使平板電容器二極片相接為止，長按SET按鍵將初始值設置為0。
4．介電常數Σ的測試
a. 再松開二極片，把被測樣品插入二極片之間，調節平板電容器，到二極片夾住樣品止（注意調節時要用測微桿，以免夾得過緊或過松），這時能讀取的測試裝置液晶顯示屏上的數值，既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調電容容量，使Q 表處于諧振點上。
b. 取出平板電容器中的樣品，這時Q 表又失諧，此時調節平板電容器，使Q 表再回到諧振點上，讀取測試裝置液晶顯示屏上的數值記為D4
c. 計算被測樣品的介電常數：
Σ＝D2 / D4
5．介質損耗系數的測試
a. 重新把測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端上。把被測樣品插入二極片之間，改變Q 表上的主調電容容量，使Q 表處于諧振點上，讀得Q 值，記為Q2。電容讀數記為C2。
b. 取出平板電容器中的樣品，這時Q 表又失諧，再改變Q 表上的主調電容容量，使Q 表重新處于諧振點上。讀得Q 值，記為Q1。電容讀數記為C1。
c. 然后取下測試裝置，再改變Q 表上的主調電容容量，重新使之諧振，電容讀數記為C3，此時可計算得到測試裝置的電容為CZ = C3 －C1
d. 計算被測樣品的介質損耗系數
?式中：CZ 為測試裝置的電容（平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2）
C0 為測試電感的分布電容（參考LKI-1 電感組的分布電容值）
- 上一個： gdat-a介電常數測試儀介質損耗測試儀
- 下一個： GDAT-S20Hz介電常數測定儀
